BTC5094N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC5094N3

Маркировка: TE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 52

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTC5094N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC5094N3 даташит

 ..1. Size:176K  cystek
btc5094n3.pdfpdf_icon

BTC5094N3

Spec. No. C212N3 Issued Date 2002.05.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.03.14 Page No. 1/8 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5094N3 Description The BTC5094N3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5094N3 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Features

 8.1. Size:436K  cystek
btc5095s3.pdfpdf_icon

BTC5094N3

Spec. No. C212S3 Issued Date 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.25 Page No. 1/ 11 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5095S3 Description The BTC5095S3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5095S3 SOT-323 B Base C Collector E Emitter Features

Другие транзисторы: BTC4226S3, BTC4401A3, BTC4505A3, BTC4505M3, BTC4505N3, BTC4617C3, BTC4620D3, BTC4672M3, BC556, BTC5095S3, BTC5103I3, BTC5181WC3, BTC5658Y3, BTC5706A3, BTC5706I3, BTC5706J3, BTC9013A3