BTD142F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD142F3

Маркировка: D142

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO263

 Аналоги (замена) для BTD142F3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD142F3 даташит

 ..1. Size:248K  cystek
 btd142f3.pdf pdf_icon

BTD142F3

Spec. No. C658F3 Issued Date 2005.08.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/7 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD142F3 Description The BTD142F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic constructio

Другие транзисторы: BTC5103I3, BTC5181WC3, BTC5658Y3, BTC5706A3, BTC5706I3, BTC5706J3, BTC9013A3, BTC9014A3, S9018, BTD882AM3, BTD882D3, BTD882I3, BTD882J3, BTD882SA3, BTD882ST3, BTD882T3, BTD965A3