Биполярный транзистор BTD1304N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD1304N3
Маркировка: MAX
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BTD1304N3
BTD1304N3 Datasheet (PDF)
btd1304n3.pdf
Spec. No. : C857N3 Issued Date : 2011.03.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.04.01 Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VAUDIO MUTING APPLICATION IC 500mARCE(SAT) 0.3(typ) BTD1304N3 Features High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). High reverse hFE, reverse hFE=20(min.) @VCE=2V, IC=4mA. Low On-resistance, Ron=0.6(max)@IB
btd1304a3.pdf
Spec. No. : C857A3 Issued Date : 2013.03.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VAUDIO MUTING APPLICATION IC 500mARCE(SAT) 0.3(typ) BTD1304A3 Features High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). High reverse hFE, reverse hFE=20(min.) @VCE=2V, IC=4mA. Low On-resistance, Ron=0.6(max)@IB=1mA.
btd1383m3.pdf
Spec. No. : C214M3 Issued Date : 2006.11.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.06 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1383M3Description The BTD1383M3 is a darlington amplifier transistor. Pb-free package Symbol Outline SOT-89 BTD1383M3C B BBase B C E CCollector E EEmitter Absolute Maximum Ratin
btd1383l3.pdf
Spec. No. : C214L3 Issued Date : 2005.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1383L3Description The BTD1383L3 is a darlington amplifier transistor. Symbol Outline BTD1383L3SOT-223 C CB E C BBase B CCollector E EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050