BTD1857AFP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD1857AFP

Маркировка: D1857A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO220FP

 Аналоги (замена) для BTD1857AFP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1857AFP даташит

 ..1. Size:164K  cystek
 btd1857afp.pdf pdf_icon

BTD1857AFP

Spec. No. C855FP Issued Date 2004.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.06.12 Page No. 1/4 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1857AFP Description High BV CEO High current capability Complementary to BTB1236AFP Pb-free package Symbol Outline BTD1857AFP TO-220FP B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maxi

 6.1. Size:246K  cystek
 btd1857am3.pdf pdf_icon

BTD1857AFP

Spec. No. C855M3-R Issued Date 2004.08.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.31 Page No. 1/6 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 160V IC 1.5A BTD1857AM3 RCESAT(MAX) 0.3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTB1236AM3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTD1857AM3

 6.2. Size:159K  cystek
 btd1857at3.pdf pdf_icon

BTD1857AFP

Spec. No. C855T3 Issued Date 2004.12.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.06.12 Page No. 1/4 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1857AT3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTB1236AT3 Pb-free package Symbol Outline BTD1857AT3 TO-126 B Base C Collector E C B E Emitter Absolute Maximum

 6.3. Size:182K  cystek
 btd1857ae3.pdf pdf_icon

BTD1857AFP

Spec. No. C855E3 Issued Date 2004.08.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.13 Page No. 1/5 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1857AE3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTB1236AE3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD1857AE3 TO-220AB B Base C Collector E Emitter B C E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTD1805FP, BTD1805I3, BTD1805J3, BTD1816I3, BTD1816J3, BTD1857A3, BTD1857AD3, BTD1857AE3, 13009, BTD1857AI3, BTD1857AJ3, BTD1857AJ3G, BTD1857AL3, BTD1857AM3, BTD1857AT3, BTD1858A3, BTD1858I3