Биполярный транзистор BTD2098AM3
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD2098AM3
Маркировка: AH
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора:
SOT-89
Аналоги (замена) для BTD2098AM3
BTD2098AM3
Datasheet (PDF)
..1. Size:227K cystek
btd2098am3.pdf 
Spec. No. : C847M3 Issued Date : 2003.04.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098AM3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386AM3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098AM3 SOT-89
7.1. Size:242K cystek
btd2098ln3.pdf 
Spec. No. : C850N3 Issued Date : 2004.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.02.21 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098LN3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386LN3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098LN3 SOT-23
7.2. Size:234K cystek
btd2098m3.pdf 
Spec. No. : C623M3 Issued Date : 2013.03.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.04.17 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386M3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD209
9.1. Size:215K cystek
btd2061fp.pdf 
Spec. No. : C819FP Issued Date : 2005.09.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.06.29 Page No. : 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2061FP Features Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.25V at IC/IB=2A/0.2A. Excellent DC current gain characteristics. Wide SOA(safe operating area). Pb-free package. Symbol Outline BTD2061FP T
9.2. Size:273K cystek
btd2040n3s.pdf 
Spec. No. : C223N3-A Issued Date : 2004.02.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.10.03 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 25VIC 1ABTD2040N3S RCESAT 0.31(typ.) Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA
9.3. Size:159K cystek
btd2057a3.pdf 
Spec. No. : C855A3-A Issued Date : 2005.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2057A3Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD2057A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter E C BAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
