Биполярный транзистор BTD2098M3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD2098M3
Маркировка: AH
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 260
Корпус транзистора: SOT-89
Аналоги (замена) для BTD2098M3
BTD2098M3 Datasheet (PDF)
btd2098m3.pdf
Spec. No. : C623M3 Issued Date : 2013.03.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.04.17 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386M3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD209
btd2098am3.pdf
Spec. No. : C847M3 Issued Date : 2003.04.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098AM3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386AM3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098AM3 SOT-89
btd2098ln3.pdf
Spec. No. : C850N3 Issued Date : 2004.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.02.21 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098LN3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386LN3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098LN3 SOT-23
btd2061fp.pdf
Spec. No. : C819FP Issued Date : 2005.09.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.06.29 Page No. : 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2061FP Features Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.25V at IC/IB=2A/0.2A. Excellent DC current gain characteristics. Wide SOA(safe operating area). Pb-free package. Symbol Outline BTD2061FP T
btd2040n3s.pdf
Spec. No. : C223N3-A Issued Date : 2004.02.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.10.03 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 25VIC 1ABTD2040N3S RCESAT 0.31(typ.) Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA
btd2057a3.pdf
Spec. No. : C855A3-A Issued Date : 2005.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2057A3Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD2057A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter E C BAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
