BTD9065D3 - описание и поиск аналогов

 

BTD9065D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD9065D3

Маркировка: D9065

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-126ML

 Аналоги (замена) для BTD9065D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD9065D3 даташит

 ..1. Size:225K  cystek
 btd9065d3.pdf pdf_icon

BTD9065D3

Spec. No. C847D3 Issued Date 2011.03.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20V BTD9065D3 IC 5A RCESAT 160m (typ.) Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.65 V (typical), at IC / IB = 4A / 0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD9065D3 TO-

Другие транзисторы: BTD5974B3, BTD6055J3, BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3, BTD8530F3, 2SC2240, BTN3A60T3, BTN853L3, BTN1053A3, BTN1053I3, BTN1053K3, BTN1053L3, BTN1053M3, BTN1101E3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.