Биполярный транзистор BTN1053L3
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN1053L3
Маркировка: N1053
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора:
SOT-223
Аналоги (замена) для BTN1053L3
BTN1053L3
Datasheet (PDF)
..1. Size:152K cystek
btn1053l3.pdf 
Spec. No. : C818L3 Issued Date : 2003.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/5 NPN Epitaxial Planar TransistorBTN1053L3 Features 5W power dissipation Excellent H Characteristics up to 1A FE Low Saturation Voltage VCE(sat)=0.15V(typ)(IC=1A,IB=50mA). 5A peak pulse current Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits
7.1. Size:297K cystek
btn1053k3.pdf 
Spec. No. : C818K3 Issued Date : 2013.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 75VIC 2.5ABTN1053K3RCESAT(MAX) 250m Features Excellent H Characteristics up to 1A FE Low Saturation Voltage, V =0.15V(typ)@I =1A, I =50mA CE(sat) C B 5A peak pulse current Pb-free lead plating and hal
7.2. Size:302K cystek
btn1053i3.pdf 
Spec. No. : C818I3 Issued Date : 2010.01.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.02.26 Page No. : 1/7 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 80VIC 2.5ABTN1053I3RCESAT(MAX) 150m Features Excellent H Characteristics up to 1A FE Low Saturation Voltage, V =0.11V(typ)@I =1A, I =50mA CE(sat) C B 5A peak pulse current Pb-free lead plating and hal
7.3. Size:268K cystek
btn1053a3.pdf 
Spec. No. : C818A3 Issued Date : 2013.05.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.06.25 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN1053A3 Features Excellent H Characteristics up to 1A FE Low Saturation Voltage, V =0.1V(typ)@I =1A, I =50mA CE(sat) C B 5A peak pulse current Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outl
7.4. Size:262K cystek
btn1053m3.pdf 
Spec. No. : C818M3 Issued Date : 2003.04.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 75VIC 2.5ABTN1053M3RCESAT(MAX) 250m Features 2W power dissipation Excellent H Characteristics up to 1A FE Low Saturation Voltage, V =0.15V(typ)@I =1A, I =50mA CE(sat) C B 5A peak pulse current Pb
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
