Биполярный транзистор BTN2369A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN2369A3
Маркировка: N2369
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для BTN2369A3
BTN2369A3 Datasheet (PDF)
btn2369a3.pdf
Spec. No. : C229A3 Issued Date : 2004.08.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/3 High Frequency NPN Switching Transistor BTN2369A3Description High transition frequency, f =500MHz(min) T High current, IC(max)=200mA Low saturation voltage, V =0.3V(max) CE(SAT)Symbol Outline BTN2369A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter C B E
btn2369n3.pdf
Spec. No. : C229N3 Issued Date : 2004.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.23 Page No. : 1/6 High Frequency NPN Switching Transistor BTN2369N3Description High transition frequency, f =500MHz(min) T High current, IC(max)=500mA Low saturation voltage, V =0.3V(max) CE(SAT) Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTN
btn2369s3.pdf
Spec. No. : C229S3 Issued Date : 2011.10.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Frequency NPN Switching Transistor BTN2369S3Description High transition frequency, f =500MHz(min) T High current, IC(max)=200mA Low saturation voltage, V =0.3V(max) CE(SAT) Pb-free lead plating package Symbol Outline BTN2369S3 SOT-323 BBase
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: TIP50
