Биполярный транзистор BTN3501I3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN3501I3
Маркировка: N3501
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO-251
Аналоги (замена) для BTN3501I3
BTN3501I3 Datasheet (PDF)
btn3501i3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C606I3 Issued Date : 2003.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80VIC 8ABTN3501I3 RCESAT 60m Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTN3501I3 BBase CCollector B
btn3501j3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C606J3 Issued Date : 2003.10.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.10.30 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80VIC 8ABTN3501J3 VCESAT 0.6V (max.) Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN3501J3TO-252(DPAK) BBase CCol
btn3501e3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C606E3 Issued Date : 2004.08.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Symbol Outline BTN3501E3 TO-220AB BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter S
btn3501f3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C606F3 Issued Date : 2005.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.11.30 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501F3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTN3501F3 TO-263 CBE BBase B C E CCollector EEmitter Absolute
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .