BTN6718D3 - описание и поиск аналогов

 

BTN6718D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN6718D3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-126ML

 Аналоги (замена) для BTN6718D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN6718D3 даташит

 ..1. Size:228K  cystek
 btn6718d3.pdf pdf_icon

BTN6718D3

Spec. No. C319D3 Issued Date 2008.05.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6718D3 Features High breakdown voltage, BV 100V CEO Large continuous collector current capability, I =1A(DC) C(MAX) Low collector saturation voltage Pb-free package Symbol Outline BTN6718D3 TO-126ML

 7.1. Size:159K  cystek
 btn6718a3.pdf pdf_icon

BTN6718D3

Spec. No. C823A3 Issued Date 2006.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6718A3 Description The BTN6718A3 is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =100V (min.) CEO High collector current,

Другие транзисторы: BTN3501J3, BTN3904A3, BTN3904N3, BTN3904S3, BTN5551A3, BTN5551K3, BTN6427N3, BTN6718A3, TIP41C, BTN8050A3, BTN8050BA3, BTN13003D3, BTN13003T3, BTNA06N3, BTNA14A3, BTNA14N3, BTNA42A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.