Биполярный транзистор BTN8050BA3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN8050BA3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для BTN8050BA3
BTN8050BA3 Datasheet (PDF)
btn8050ba3.pdf
Spec. No. : C223A3-B Issued Date : 2004.02.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.03 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN8050BA3Description The BTN8050BA3 is designed for use in output amplifier of portable radios in class B push pull operation. Features High collector current , I = 1.5A C Low V CE(sat) Complementa
btn8050a3.pdf
Spec. No. : C223A3 Issued Date : 2003.07.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.21 Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN8050A3Description The BTN8050A3 is designed for use in output amplifier of portable radios in class B push pull operation. Features High collector current , I = 1.5A C Low V CE(sat) Complementary t
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
