BTN8050BA3 - описание и поиск аналогов

 

BTN8050BA3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN8050BA3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для BTN8050BA3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN8050BA3 даташит

 ..1. Size:264K  cystek
 btn8050ba3.pdf pdf_icon

BTN8050BA3

Spec. No. C223A3-B Issued Date 2004.02.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.03 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN8050BA3 Description The BTN8050BA3 is designed for use in output amplifier of portable radios in class B push pull operation. Features High collector current , I = 1.5A C Low V CE(sat) Complementa

 7.1. Size:265K  cystek
 btn8050a3.pdf pdf_icon

BTN8050BA3

Spec. No. C223A3 Issued Date 2003.07.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.21 Page No. 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN8050A3 Description The BTN8050A3 is designed for use in output amplifier of portable radios in class B push pull operation. Features High collector current , I = 1.5A C Low V CE(sat) Complementary t

Другие транзисторы: BTN3904N3, BTN3904S3, BTN5551A3, BTN5551K3, BTN6427N3, BTN6718A3, BTN6718D3, BTN8050A3, 2N3904, BTN13003D3, BTN13003T3, BTNA06N3, BTNA14A3, BTNA14N3, BTNA42A3, BTNA44A3, BTNA44M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.