Биполярный транзистор BTN13003T3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN13003T3
Маркировка: 13003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
Корпус транзистора: TO-126
Аналоги (замена) для BTN13003T3
BTN13003T3 Datasheet (PDF)
btn13003t3.pdf
Spec. No. : C827T3 Issued Date : 2012.04.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003T3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003T3 TO-126 BBase CCollector EEmitter B C E Absol
btn13003d3.pdf
Spec. No. : C827D3 Issued Date : 2012.04.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003D3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003D3 TO-126ML BBase CCollector EEmitter E C B Abs
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
