BTNA44N3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTNA44N3
Маркировка: 3D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для BTNA44N3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTNA44N3 даташит
btna44n3.pdf
Spec. No. C210N3-H Issued Date 2003.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.07.14 Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 400V IC 300mA BTNA44N3 RCESAT(typ.) 10 Features High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V C B CE(sat) = 0.1V at I /I =10mA/1mA. Complementary to BTPA94N3
btna44m3.pdf
Spec. No. C211M3 Issued Date 2013.05.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.05 Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA44M3 Features High breakdown voltage. (BV = 400V) CEO Low saturation voltage, typically V C B CE(sat) = 60mV at I /I =10mA/1mA. Complementary to BTPA94M3 Symbol Outline BTNA44M3 SOT-89 B Base
btna44a3.pdf
Spec. No. C211A3 Issued Date 2003.03.026 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.20 Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA44A3 Features High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =60mV at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTPA94A3 Pb-free lead plating and halogen-free packag
btna45a3.pdf
Spec. No. C241A3 Issued Date 2011.06.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.22 Page No. 1/7 NPN High Voltage Planar Transistor BVCEO 500V IC 150mA BTNA45A3 VCESAT 150mV (max) Description High breakdown voltage. (BV =500V) CEO Low collector-emitter saturation voltage V . CESAT High collector current capability I and I . C CM High coll
Другие транзисторы: BTN13003D3, BTN13003T3, BTNA06N3, BTNA14A3, BTNA14N3, BTNA42A3, BTNA44A3, BTNA44M3, C5198, BTNA45A3, BTNA45N3, BTNH10A3, BTNH10N3, BTP949L3, BTP953L3, BTP955J3, BTP955L3
History: A747A | 2SC3295A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor






