Биполярный транзистор BTP949L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTP949L3
Маркировка: P949
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 122 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-223
BTP949L3 Datasheet (PDF)
btp949l3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C657L3 Issued Date : 2005.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 PNP Epitaxial Planar Power Transistor BTP949L3 Features Extremely low equivalent on-resistance, RCE(sat) = 75m(max) @ IC = -3A, IB=-0.1A 6A continuous current(up to 20A peak) Excellent current gain linearity Pb-free package Symbol Outline BTP949L3 SOT-
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .