Биполярный транзистор BTP953L3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTP953L3
Маркировка: 953
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-223
Аналог (замена) для BTP953L3
BTP953L3 Datasheet (PDF)
btp953l3.pdf

Spec. No. : C657L3 Issued Date : 2005.01.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.27 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP953L3Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps Ptot=3Watts Extreme
btp955m3.pdf

Spec. No. : C811L3 Issued Date : 2007.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP955M3Features 3 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Extremely low equivalent on resistanc
btp955l3.pdf

Spec. No. : C607L3 Issued Date : 2005.02.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.31 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP955L3Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Ptot=3Watts Extremel
btp955j3.pdf

Spec. No. : C607J3-A Issued Date : 2006.06.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP955J3Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Ptot=3Watts Extremely low equ
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: TP3826 | BC369-16 | TK23A | NA21FX | KC818W-25 | MJE1320 | PMD10K60
History: TP3826 | BC369-16 | TK23A | NA21FX | KC818W-25 | MJE1320 | PMD10K60



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312