Биполярный транзистор BTP953L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTP953L3
Маркировка: 953
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-223
BTP953L3 Datasheet (PDF)
btp953l3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C657L3 Issued Date : 2005.01.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.27 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP953L3Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps Ptot=3Watts Extreme
btp955m3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C811L3 Issued Date : 2007.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP955M3Features 3 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Extremely low equivalent on resistanc
btp955l3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C607L3 Issued Date : 2005.02.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.31 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP955L3Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Ptot=3Watts Extremel
btp955j3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C607J3-A Issued Date : 2006.06.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP955J3Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Ptot=3Watts Extremely low equ
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .