DTA144WS3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA144WS3

Маркировка: 6P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для DTA144WS3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA144WS3 даташит

 ..1. Size:248K  cystek
dta144ws3.pdfpdf_icon

DTA144WS3

Spec. No. C276S3 Issued Date 2012.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) DTA144WS3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

 6.1. Size:139K  nxp
pdta144wef pdta144wk pdta144ws.pdfpdf_icon

DTA144WS3

 6.2. Size:57K  rohm
dta144wsa.pdfpdf_icon

DTA144WS3

DTA144WE / DTA144WUA / DTA144WKA / DTA144WSA Transistors Digital transistors (built-in resistor) DTA144WE / DTA144WUA / DTA144WKA / DTA144WSA Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors. 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the inp

 7.1. Size:57K  motorola
pdta144wu 3.pdfpdf_icon

DTA144WS3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA144WU PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 25 Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144WU FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input

Другие транзисторы: BU941ZF3, BU941ZFP, BU941ZLE3, BU941ZP3, D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, BC558, FBP5096G3, HBA1873S5, HBA8573S6R, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R