Справочник транзисторов. HBN2412S6R

 

Биполярный транзистор HBN2412S6R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HBN2412S6R
   Маркировка: MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBN2412S6R

 

 

HBN2412S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  cystek
hbn2412s6r.pdf

HBN2412S6R
HBN2412S6R

Spec. No. : C202S6R Issued Date : 2003.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBN2412S6R Features Two BTC2412 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

 7.1. Size:269K  cystek
hbn2412c6.pdf

HBN2412S6R
HBN2412S6R

Spec. No. : C202C6 Issued Date : 2014.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBN2412C6 Features Two BTC2412 chips in a SOT-563 package. Mounting possible with SOT-523 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounti

 8.1. Size:279K  cystek
hbn2411s6r.pdf

HBN2412S6R
HBN2412S6R

Spec. No. : C203S6R Issued Date : 2003.09.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/ 8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBN2411S6R Features Two BTC2411chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

 9.1. Size:271K  cystek
hbn2444s6r.pdf

HBN2412S6R
HBN2412S6R

Spec. No. : C223S6-R Issued Date : 2005.06.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.10.03 Page No. : 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor HBN2444S6R (Dual Transistors) Features Two BTD2444 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top