HBP1037S5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBP1037S5

Маркировка: SGR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для HBP1037S5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBP1037S5 даташит

 ..1. Size:246K  cystek
 hbp1037s5.pdf pdf_icon

HBP1037S5

 6.1. Size:316K  cystek
 hbp1037s6r.pdf pdf_icon

HBP1037S5

Spec. No. C306S6R Issued Date 2003.09.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.14 Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBP1037S6R Features Two BTA1037 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference

 7.1. Size:262K  cystek
 hbp1037c6.pdf pdf_icon

HBP1037S5

Spec. No. C306C6 Issued Date 2012.09.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBP1037C6 Features Two BTA1037 chips in a SOT-563 package. Mounting possible with SOT-523 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mountin

 8.1. Size:245K  cystek
 hbp1036s6r.pdf pdf_icon

HBP1037S5

Spec. No. C305S6R Issued Date 2003.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.09.20 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBP1036S6R Features Two BTA1036 chips in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, NJW0281G, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, HQP1498QF, PZT2222AL3, PZT5551L3, STBV32A3, TIP31CE3