HQN2498QF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HQN2498QF

Маркировка: N2498

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SO-10

 Аналоги (замена) для HQN2498QF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HQN2498QF даташит

 ..1. Size:267K  cystek
 hqn2498qf.pdf pdf_icon

HQN2498QF

Spec. No. C899QF Issued Date 2009.11.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.12.23 Page No. 1/6 Quadruple High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor HQN2498QF Description High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typical V =0.13V at Ic/I =20mA/1mA. CE(sat) B Complementary to HQP1498QF Pb-free

Другие транзисторы: HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, TIP2955, HQP1498QF, PZT2222AL3, PZT5551L3, STBV32A3, TIP31CE3, TIP31CJ3, TIP50I3, TIP50J3