HQP1498QF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HQP1498QF

Маркировка: P1498

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SO-10

 Аналоги (замена) для HQP1498QF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HQP1498QF даташит

 ..1. Size:266K  cystek
 hqp1498qf.pdf pdf_icon

HQP1498QF

Spec. No. C900QF Issued Date 2009.10.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.11.20 Page No. 1/6 Quadruple High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor HQP1498QF Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.3V at Ic/I =-20mA/-1mA. CE(sat) B Complementary to HQN2498QF Pb-fr

Другие транзисторы: HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R, HQN2498QF, BC549, PZT2222AL3, PZT5551L3, STBV32A3, TIP31CE3, TIP31CJ3, TIP50I3, TIP50J3, 2SC5858