Справочник транзисторов. NE68018

 

Биполярный транзистор NE68018 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NE68018
   Маркировка: R46_R47_R48
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT343
 

 Аналог (замена) для NE68018

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NE68018 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:247K  nec
 ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf pdf_icon

NE68018

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE:1.7 dB at 2 GHz2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:12.5 dB at 2 GHz8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X)LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for l

 9.2. Size:625K  nec
 ne680series.pdf pdf_icon

NE68018

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE: 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is de-sig

Другие транзисторы... TIP31CE3 , TIP31CJ3 , TIP50I3 , TIP50J3 , 2SC5858 , 2SC6118LS , MJW18020G , NE68000 , TIP32C , NE68019 , NE68030 , NE68033 , NE68035 , NE68039 , 2SC5618 , 2SC5253 , 2SC5855A .

History: GES3638 | NPS3393 | S9014LT1

 

 
Back to Top

 


 
.