2SC5855A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC5855A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4.3
Корпус транзистора: 2-16E3A
Аналоги (замена) для 2SC5855A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5855A даташит
2sc5855.pdf
2SC5855 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5855 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR Unit mm SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage VCE (sat) = 3 V (max) High Speed tf(2) = 0.1 s (typ.) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING
2sc5855.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855 DESCRIPTION High speed switching High voltage Low saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for super high resolution Display color TV digital TV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a
2sc5859.pdf
2SC5859 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5859 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR Unit mm HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV High Voltage V = 1700 V CBO Low Saturation Voltage VCE (sat) = 3 V (max) High Speed tf(2) = 0.1 s (Typ.) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 1700 V Collector-Emi
2sc5858.pdf
2SC5858 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5858 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR Unit mm HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV High Voltage VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage VCE (sat) = 1.5 V (Max) High Speed tf(2) = 0.1 s (Typ.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 1700 V C
Другие транзисторы: NE68018, NE68019, NE68030, NE68033, NE68035, NE68039, 2SC5618, 2SC5253, A42, H1061, 2SD5703, H945R, H945Q, H945P, H945K, H945, KT925A
History: 2SD471 | MRF890 | 2N2858
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent





