Справочник транзисторов. 3DD5032

 

Биполярный транзистор 3DD5032 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD5032
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3P
 

 Аналог (замена) для 3DD5032

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  jilin sino
3dd5032.pdfpdf_icon

3DD5032

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY R3DD5032 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BVCBO 8 A Ic 3 V(max) Vce(sat)

 0.1. Size:471K  jilin sino
3dd5032p.pdfpdf_icon

3DD5032

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCYR 3DD5032P Package MAIN CHARACTERISTICSTO-3P(H)IS 1500 VBVCBO 8 AIC 3 V(max)VCE(sat) 1s(max)tf APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. FEATURE

 8.1. Size:144K  jilin sino
3dd5036.pdfpdf_icon

3DD5032

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY R3DD5036 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1700 V BV CBO8 A I C3 V(max) V

 8.2. Size:146K  jilin sino
3dd5039.pdfpdf_icon

3DD5032

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY R3DD5039 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 900 V BV CBO6 A I C1.0 V(max) V C

Другие транзисторы... H945P , H945K , H945 , KT925A , KT925B , KT925V , KT925G , 2SD5032 , 2N2222 , 2SC5676 , 2SC9018 , 2SC9018D , 2SC9018E , 2SC9018F , 2SC9018G , 2SC9018H , 2SC9018I .

History: BF680 | L8050HQLT1G | 2N3766SMD | 2SC4256 | MUN2231 | T1685 | 2SD1724T

 

 
Back to Top

 


 
.