3DD5032 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DD5032 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD5032
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 3DD5032

 

3DD5032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  jilin sino
 3dd5032.pdf pdf_icon

3DD5032

 0.1. Size:471K  jilin sino
 3dd5032p.pdf pdf_icon

3DD5032

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5032P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 8 A I C 3 V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. FEATURE

 8.1. Size:144K  jilin sino
 3dd5036.pdf pdf_icon

3DD5032

 8.2. Size:146K  jilin sino
 3dd5039.pdf pdf_icon

3DD5032

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... H945P , H945K , H945 , KT925A , KT925B , KT925V , KT925G , 2SD5032 , C1815 , 2SC5676 , 2SC9018 , 2SC9018D , 2SC9018E , 2SC9018F , 2SC9018G , 2SC9018H , 2SC9018I .

 

 
Back to Top

 


 
.