3DD5032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD5032  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD5032

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5032 даташит

 ..1. Size:213K  jilin sino
 3dd5032.pdf pdf_icon

3DD5032

 0.1. Size:471K  jilin sino
 3dd5032p.pdf pdf_icon

3DD5032

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5032P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 8 A I C 3 V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. FEATURE

 8.1. Size:144K  jilin sino
 3dd5036.pdf pdf_icon

3DD5032

 8.2. Size:146K  jilin sino
 3dd5039.pdf pdf_icon

3DD5032

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: H945P, H945K, H945, KT925A, KT925B, KT925V, KT925G, 2SD5032, C1815, 2SC5676, 2SC9018, 2SC9018D, 2SC9018E, 2SC9018F, 2SC9018G, 2SC9018H, 2SC9018I