Биполярный транзистор 2N6444 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6444
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO77
2N6444 Datasheet (PDF)
9.2. Size:91K interfet
2n6449 2n6450.pdf
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
Другие транзисторы... 2N6437A , 2N6438 , 2N6438A , 2N6439 , 2N644 , 2N6441 , 2N6442 , 2N6443 , BC337 , 2N6445 , 2N6446 , 2N6447 , 2N6448 , 2N645 , 2N6455 , 2N6456 , 2N6457 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050