2SD1651C - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SD1651C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SD1651C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3PMLH

 Аналоги (замена) для 2SD1651C

 

2SD1651C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  sanyo
2sd1651c.pdfpdf_icon

2SD1651C

Ordering number ENN7086 2SD1651C www.DataSheet4U.com NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1651C Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD1651C] 5.6 Adoption of MBIT process. 3.4 16.0 3.1 On-chip

 7.1. Size:41K  wingshing
2sd1651.pdfpdf_icon

2SD1651C

NPN TRIPLE DIFFUSED 2SD1651 PLANAR SILICON TRANSISTOR COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN) High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) TO-3PML High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current

 7.2. Size:81K  jmnic
2sd1651.pdfpdf_icon

2SD1651C

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1651 DESCRIPTION With TO-3PML package Built-in damper diode High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
2sd1651.pdfpdf_icon

2SD1651C

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1651 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

Другие транзисторы... KT922B , KT922V , KT922G , KT922D , NTE128 , NTE129 , RN2357 , 2SD1886C , 2SC1815 , 2SC945R , 2SC945O , 2SC945Y , 2SC945P , C8050B , C8050C , C8050D , NE685M13 .

 

 
Back to Top

 


 
.