2SD1651C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1651C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3PMLH

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1651C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1651C даташит

 ..1. Size:211K  sanyo
 2sd1651c.pdf pdf_icon

2SD1651C

Ordering number ENN7086 2SD1651C www.DataSheet4U.com NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1651C Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD1651C] 5.6 Adoption of MBIT process. 3.4 16.0 3.1 On-chip

 7.1. Size:41K  wingshing
 2sd1651.pdf pdf_icon

2SD1651C

NPN TRIPLE DIFFUSED 2SD1651 PLANAR SILICON TRANSISTOR COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN) High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) TO-3PML High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current

 7.2. Size:81K  jmnic
 2sd1651.pdf pdf_icon

2SD1651C

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1651 DESCRIPTION With TO-3PML package Built-in damper diode High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd1651.pdf pdf_icon

2SD1651C

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1651 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KT922B, KT922V, KT922G, KT922D, NTE128, NTE129, RN2357, 2SD1886C, 2SC1815, 2SC945R, 2SC945O, 2SC945Y, 2SC945P, C8050B, C8050C, C8050D, NE685M13