2SC5614. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5614

Маркировка: C1_C2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: MINIMOLD

 Аналоги (замена) для 2SC5614

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5614 даташит

 ..1. Size:137K  nec
2sc5614.pdfpdf_icon

2SC5614

DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5614 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES NF = 1.4 dB TYP., S21e 2 = 10.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz 3-pin lead-less minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5614 50 pcs (Non reel) 8 mm wide embossed taping 2SC5614-T3 10 kpcs

 ..2. Size:19K  nec
ne856m13 2sc5614.pdfpdf_icon

2SC5614

 8.1. Size:341K  toshiba
2sc5612.pdfpdf_icon

2SC5614

2SC5612 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5612 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit mm High Voltage VCBO = 2000 V Low Saturation Voltage V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed t = 0.15 s (Typ.) f MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 2000 V Collector-Emitter Voltage VCEO 90

 8.2. Size:51K  sanyo
2sa2022 2sc5610.pdfpdf_icon

2SC5614

Ordering number ENN6367 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2022/2SC5610 DC/DC Converter Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit mm 2041A Features [2SA2022/2SC5610] 4.5 Adoption of MBIT processes. 10.0 2.8 Large current capacitance. 3.2 Low collector-to-emitter saturation voltage. High-

Другие транзисторы: C8050C, C8050D, NE685M13, S8050MB, S8050MC, S8050MD, NJW0281G, NJW0302G, 2SC2625, 2SC5800, 2SD2195, 2SD2398, 2SD2004, 2SA1193K, 129NT1A-1, 129NT1B-1, 129NT1V-1