K159NT1D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: K159NT1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для K159NT1D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K159NT1D даташит

 7.1. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

K159NT1D

Другие транзисторы: 159NT1V, 159NT1G, 159NT1D, 159NT1E, K159NT1A, K159NT1B, K159NT1V, K159NT1G, 2N2907, K159NT1E, 1129NTV1, B1129NT1V-1, CS13001, CS13002, CS13003, T5609, T5610