2SC2717M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2717M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 2SC2717M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2717M даташит

 ..1. Size:923K  blue-rocket-elect
 2sc2717m.pdf pdf_icon

2SC2717M

2SC2717M(BR3DG2717M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,h FE High gain, good linearity of hFE. / Applications TV final picture IF amplifier applications. / Equival

 7.1. Size:267K  toshiba
 2sc2216 2sc2717.pdf pdf_icon

2SC2717M

2SC2216,2SC2717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2216,2SC2717 TV Final Picture IF Amplifier Applications Unit mm High gain Gpe = 33dB (typ.) (f = 45 MHz) Good linearity of h . FE Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit 2SC2216 50 Collector-base voltage VCBO V 2SC2717 30 2SC2216 45 Collector-emitter VCEO

 7.2. Size:172K  secos
 2sc2717.pdf pdf_icon

2SC2717M

2SC2717 0.05A , 30V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High Gain Gpe=33 dB(Typ.)(f =45MHz) G H Good Linearity of hFE Base Emitter J Collector A D Millimeter REF. Min. Max. B A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 K C 12.70 - D 3.30 3.81 E

 7.3. Size:298K  lge
 2sc2717.pdf pdf_icon

2SC2717M

2SC2717(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features High Gain Gpe =33 dB ( Typ. ) ( f =45MHZ) Good Linearity of hFE. MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 4 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1623W, 2SC1627AF, 2SC1740M, 2SC1741AM, 2SC1815M, 2SC1959M, 2SC2216M, 2SC2383T, A1941, 2SC2881A, 2SC3330M, 2SC3356W, 2SC3834F, 2SC383TM, 2SC4081W, 2SC4155A, 2SC4458L