Биполярный транзистор 2SC2717M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2717M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
2SC2717M Datasheet (PDF)
2sc2717m.pdf
2SC2717M(BR3DG2717M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,h FEHigh gain, good linearity of hFE. / Applications TV final picture IF amplifier applications. / Equival
2sc2216 2sc2717.pdf
2SC2216,2SC2717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2216,2SC2717 TV Final Picture IF Amplifier Applications Unit: mm High gain: Gpe = 33dB (typ.) (f = 45 MHz) Good linearity of h . FEMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating Unit2SC2216 50Collector-base voltage VCBO V 2SC2717 30 2SC2216 45Collector-emitter VCEO
2sc2717.pdf
2SC2717 0.05A , 30V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High GainGpe=33 dB(Typ.)(f =45MHz) G H Good Linearity of hFE BaseEmitter JCollectorA DMillimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70B 4.30 4.70KC 12.70 - D 3.30 3.81E
2sc2717.pdf
2SC2717(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FeaturesHigh Gain: Gpe =33 dB ( Typ. ) ( f =45MHZ) Good Linearity of hFE. MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 4 V
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050