Биполярный транзистор 8050M
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 8050M
Маркировка: HY1B_HY1C_HY1D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора:
SOT23
Аналоги (замена) для 8050M
8050M
Datasheet (PDF)
..1. Size:761K blue-rocket-elect
8050m.pdf 
8050M Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features 8550M Complementary pair with 8550M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning
0.1. Size:874K blue-rocket-elect
s8050m.pdf 
S8050M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8550M Complementary pair with S8550M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinnin
0.2. Size:875K blue-rocket-elect
s8050mg.pdf 
S8050MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8550MG Complementary pair with S8550MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Ci
0.3. Size:407K blue-rocket-elect
l8050m.pdf 
L8050M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8550M Complementary pair with L8550M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2
0.4. Size:810K kexin
kst8050m.pdf 
SMD TypeSMD Type TransistorsNPN TransistorsKST8050MSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current: IC=0.8A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Bas
0.5. Size:281K foshan
3dg8050m.pdf 
S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8550M(3CG8550M)/Features: Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.
