Биполярный транзистор 8550M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 8550M
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: SOT23
8550M Datasheet (PDF)
8550m.pdf
8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features 8050M Complementary pair with 8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 1
s8550m.pdf
S8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050M Complementary pair with S8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning
s8550mg.pdf
S8550MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050MG Complementary pair with S8050MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circu
l8550m.pdf
L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2
kst8550m.pdf
SMD TypeSMD Type TransistorsPNP TransistorsKST8550MSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current: IC=-0.8A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-
3cg8550m s8550m.pdf
S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8050M(3DG8050M)/Features: Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SC1166 | 2SC1131 | 2SA1263NR | 2N1538 | 12A02MH-TL-E
History: 2SC1166 | 2SC1131 | 2SA1263NR | 2N1538 | 12A02MH-TL-E
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050