Справочник транзисторов. 9014W

 

Биполярный транзистор 9014W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 9014W
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

9014W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  blue-rocket-elect
9014w.pdfpdf_icon

9014W

9014W(BR3DG9014W) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package. / Features P ,h , 9015W(BR3CG9015W)C FEHigh PC and hFE, excellent hFE linearity, complementary pair with 9015W(BR3CG9015W). / Applications

 0.1. Size:263K  secos
s9014w.pdfpdf_icon

9014W

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W AL33Top View C B11 22K EPACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g DCollectorH JF G3 Millimeter MillimeterREF. REF. Min. Max. Min. Max.MARKING CODE 1 A 1.

 0.2. Size:931K  jiangsu
s9014w.pdfpdf_icon

9014W

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9014W TRANSISTOR (NPN) SOT323 FEATURES Complementary to S9015W Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO

 0.3. Size:458K  htsemi
s9014w.pdfpdf_icon

9014W

S901 4WTRANSISTOR(NPN)SOT323 FEATURES Complementary to S9015W Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBOIC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DF1B | 2SA332 | BD355C | 2SA1381C | 2N2193S | 2SD696A

 

 
Back to Top

 


 
.