Справочник транзисторов. PBSS5140S

 

Биполярный транзистор PBSS5140S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS5140S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5140S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  blue-rocket-elect
pbss5140s.pdfpdf_icon

PBSS5140S

PBSS5140S(BR3CG5140SK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High PC, low VCE(sat), high current switching / Applications

 6.1. Size:249K  philips
pbss5140v.pdfpdf_icon

PBSS5140S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PBSS5140V40 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Mar 20Supersedes data of 2001 Oct 19NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat PNP transistorPBSS5140VFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin VCEO coll

 6.2. Size:99K  philips
pbss5140t.pdfpdf_icon

PBSS5140S

PBSS5140T40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistorRev. 04 29 July 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4140T.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 6.3. Size:55K  philips
pbss5140t 1.pdfpdf_icon

PBSS5140S

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PBSS5140TPNP BISS transistorProduct specification 2000 Nov 16Philips Semiconductors Product specificationPNP BISS transistor PBSS5140TFEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage ensures1 basereduced power consumption.2 emitter3 collectorAPPLICATIONS

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BFG520-X | 2SC3944 | MT3S111TU | HUN2241 | 3N103 | MJ2249

 

 
Back to Top

 


 
.