S8550W datasheet, аналоги, параметры транзистора

S8550W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S8550W 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT323

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для S8550W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

S8550W даташит

..1. Size:904K blue-rocket-elect
s8550w.pdf pdf_icon

S8550W(BR3CG8550W) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-323 Plastic Package. / Features S8050W(BR3CG8050W) Complementary pair with S8050W(BR3CG8050W). / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Cir

0.1. Size:187K mcc
mmss8550w-h.pdf pdf_icon

MMSS8550W-L MCC Micro Commercial Components MMSS8550W-H TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 MMSS8550W-J Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" PNP Silicon Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking Y2 Plasti

0.2. Size:187K mcc
mmss8550w-l.pdf pdf_icon