DTC124ETA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC124ETA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для DTC124ETA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC124ETA даташит

 ..1. Size:179K  blue-rocket-elect
dtc124eta.pdfpdf_icon

DTC124ETA

DTC124ETA(3RC124ETA) NPN /SILICON NPN DIGITAL TRANSISTOR Purpose Switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications. Features With built-in bias resistors, simplify circuit design, red

 6.1. Size:56K  motorola
pdtc124et 5.pdfpdf_icon

DTC124ETA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC124ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 6.2. Size:56K  philips
pdtc124et 5.pdfpdf_icon

DTC124ETA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC124ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 7.1. Size:58K  motorola
pdtc124es 2.pdfpdf_icon

DTC124ETA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC124ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 08 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

Другие транзисторы: S8550A, S8550M, S8550W, TIP122L, TIP127L, TIP41P, TIP42P, TT2190, A1941, DTC144ETA, RN1002, RN1201, RN1204, RN1205, RN1206, RN2002, BCX53U