DTC144ETA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC144ETA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для DTC144ETA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC144ETA даташит

 ..1. Size:331K  blue-rocket-elect
dtc144eta.pdfpdf_icon

DTC144ETA

DTC144ETA(3RC144ETA) NPN /SILICON NPN DIGITAL TRANSISTOR Purpose Switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications. Features With built-in bias resistors, simplify circuit design, reduc

 6.1. Size:56K  motorola
pdtc144et 5.pdfpdf_icon

DTC144ETA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC144ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.2. Size:56K  philips
pdtc144et 5.pdfpdf_icon

DTC144ETA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC144ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 7.1. Size:54K  motorola
pdtc144eef 1.pdfpdf_icon

DTC144ETA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

Другие транзисторы: S8550M, S8550W, TIP122L, TIP127L, TIP41P, TIP42P, TT2190, DTC124ETA, TIP31C, RN1002, RN1201, RN1204, RN1205, RN1206, RN2002, BCX53U, BCX56U