Справочник транзисторов. ST2SA1012

 

Биполярный транзистор ST2SA1012 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SA1012
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для ST2SA1012

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SA1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  semtech
 st2sa1012.pdf pdf_icon

ST2SA1012

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

 8.1. Size:688K  semtech
 st2sa1213u.pdf pdf_icon

ST2SA1012

ST 2SA1213U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power amplifier and power switching applications The transistor is subdivided into two groups, O and Y, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 50 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector C

 8.2. Size:564K  semtech
 st2sa1663u.pdf pdf_icon

ST2SA1012

ST 2SA1663U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 30 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 1.5 ABase Current -IB 0.3 A0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150

 8.3. Size:625K  semtech
 st2sa1661u.pdf pdf_icon

ST2SA1012

ST 2SA1661U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 120 VCollector Emitter Voltage -VCEO 120 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 800 mABase Current -IB 160 mA0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... RN1206 , RN2002 , BCX53U , BCX56U , ST13002T , ST13003 , ST13003H , ST13003T , TIP35C , ST2SA1213U , ST2SA1661U , ST2SA1663U , ST2SA1666U , ST2SA1900U , ST2SA2060U , ST2SA2071U , ST2SA683 .

History: BUL76A | HA92 | 2SC3564 | BLD13005DX | BUL87 | HC5027

 

 
Back to Top

 


 
.