ST2SA2060U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SA2060U

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ST2SA2060U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SA2060U даташит

 ..1. Size:796K  semtech
 st2sa2060u.pdf pdf_icon

ST2SA2060U

ST 2SA2060U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high speed switching, DC-DC converter and strobe applications Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 7 V Collector Current (DC) -IC 2 A Collector Current (Pulse) -ICP 3.5 A Base Current -IB 200 mA 0.

 7.1. Size:591K  semtech
 st2sa2071u.pdf pdf_icon

ST2SA2060U

ST 2SA2071U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Lowe frequency amplifier and high speed switching Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 60 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current -IC 3 A Collector Current (Pw = 100 ms) -ICP 6 A 0.5 PC W Collector Power Dissipation 2 1

 9.1. Size:396K  semtech
 st2sa683 st2sa684.pdf pdf_icon

ST2SA2060U

ST 2SA683 / 2SA684 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for low frequency power amplification and driver amplification The transistor is subdivided into three group, Q, R and S according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package O Absolute Maximu

 9.2. Size:688K  semtech
 st2sa1213u.pdf pdf_icon

ST2SA2060U

ST 2SA1213U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power amplifier and power switching applications The transistor is subdivided into two groups, O and Y, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: ST13003H, ST13003T, ST2SA1012, ST2SA1213U, ST2SA1661U, ST2SA1663U, ST2SA1666U, ST2SA1900U, BD135, ST2SA2071U, ST2SA683, ST2SA684, ST2SB1124U, ST2SB1132U, ST2SB1151T, ST2SB1188U, ST2SB1386U