ST2SB1124U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SB1124U

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ST2SB1124U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SB1124U даташит

 ..1. Size:862K  semtech
 st2sb1124u.pdf pdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1124U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current -IC 3 A Collector Current (Pulse) -ICP 6 A 0.5 PC W Collector Power Dissipation 1 1) Junction Temperature Tj 150 Storage Temperatu

 7.1. Size:349K  semtech
 st2sb1151t.pdf pdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1151T PNP Epitaxial Silicon Power Transistor E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 60 V Emitter Base Voltage -VEBO 7 V Collector Current (DC) -IC 5 A Collector Current (PW = 10 ms) -ICP 8 A Base Current -IB 1 A O Collector Power Dissipation (a

 7.2. Size:558K  semtech
 st2sb1188u.pdf pdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1188U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium power transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 32 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current - DC -IC 2 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 3 1) A 0.5 PC W Collector Power Dissipation 2 2) Junction Temper

 7.3. Size:539K  semtech
 st2sb1132u.pdf pdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1132U PNP SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 32 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current - DC -IC 1 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 2 2) Junction Temperature TJ 150 Stora

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: ST2SA1661U, ST2SA1663U, ST2SA1666U, ST2SA1900U, ST2SA2060U, ST2SA2071U, ST2SA683, ST2SA684, TIP127, ST2SB1132U, ST2SB1151T, ST2SB1188U, ST2SB1386U, ST2SB1561U, ST2SB596, ST2SB772R, ST2SB772T