Справочник транзисторов. ST2SB1124U

 

Биполярный транзистор ST2SB1124U Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SB1124U
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для ST2SB1124U

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SB1124U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  semtech
st2sb1124u.pdfpdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1124U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 3 A Collector Current (Pulse) -ICP 6 A 0.5 PC W Collector Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150 Storage Temperatu

 7.1. Size:349K  semtech
st2sb1151t.pdfpdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1151T PNP Epitaxial Silicon Power Transistor ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 60 VEmitter Base Voltage -VEBO 7 VCollector Current (DC) -IC 5 ACollector Current (PW = 10 ms) -ICP 8 ABase Current -IB 1 A OCollector Power Dissipation (a

 7.2. Size:558K  semtech
st2sb1188u.pdfpdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1188U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium power transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 32 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current - DC -IC 2 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 3 1) A 0.5 PC W Collector Power Dissipation2 2) Junction Temper

 7.3. Size:539K  semtech
st2sb1132u.pdfpdf_icon

ST2SB1124U

ST 2SB1132U PNP SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 32 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current - DC -IC 1 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Stora

Другие транзисторы... ST2SA1661U , ST2SA1663U , ST2SA1666U , ST2SA1900U , ST2SA2060U , ST2SA2071U , ST2SA683 , ST2SA684 , 2SC945 , ST2SB1132U , ST2SB1151T , ST2SB1188U , ST2SB1386U , ST2SB1561U , ST2SB596 , ST2SB772R , ST2SB772T .

History: MJD6036-1 | SRC1203EF | BU326A-8 | ST13002T | TN3906

 

 
Back to Top

 


 
.