Справочник транзисторов. ST2SB1561U

 

Биполярный транзистор ST2SB1561U Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SB1561U
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 23 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SB1561U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  semtech
 st2sb1561u.pdf pdf_icon

ST2SB1561U

ST 2SB1561U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 60 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current - DC -IC 2 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 6 0.5 Total Power Dissipation Ptot W 2 2) Junction Temperature T

 8.1. Size:577K  semtech
 st2sb1386u.pdf pdf_icon

ST2SB1561U

ST 2SB1386U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Low frequency transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 30 VCollector Emitter Voltage -VCEO 20 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current - DC -IC 5 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 10 0.5 PC W Collector Power Dissipation2 2) Junction Tempera

 8.2. Size:349K  semtech
 st2sb1151t.pdf pdf_icon

ST2SB1561U

ST 2SB1151T PNP Epitaxial Silicon Power Transistor ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 60 VEmitter Base Voltage -VEBO 7 VCollector Current (DC) -IC 5 ACollector Current (PW = 10 ms) -ICP 8 ABase Current -IB 1 A OCollector Power Dissipation (a

 8.3. Size:558K  semtech
 st2sb1188u.pdf pdf_icon

ST2SB1561U

ST 2SB1188U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium power transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 32 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current - DC -IC 2 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 3 1) A 0.5 PC W Collector Power Dissipation2 2) Junction Temper

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: FPA719 | GI2716 | 2N1557A | BCW66RF | 2G525 | TD13005SMD | NKT229

 

 
Back to Top

 


 
.