Справочник транзисторов. ST2SB772R

 

Биполярный транзистор ST2SB772R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SB772R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для ST2SB772R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SB772R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  semtech
 st2sb772r.pdf pdf_icon

ST2SB772R

ST 2SB772R PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 V -IC Collector Current 3 A OTotal Power Dissipati

 6.1. Size:668K  semtech
 st2sb772t.pdf pdf_icon

ST2SB772R

ST 2SB772T PNP Silicon Epitaxial Power Transistor These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current

 6.2. Size:431K  semtech
 st2sb772u.pdf pdf_icon

ST2SB772R

ST 2SB772U PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A-ICPPeak Collector Curre

 9.1. Size:577K  semtech
 st2sb1386u.pdf pdf_icon

ST2SB772R

ST 2SB1386U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Low frequency transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 30 VCollector Emitter Voltage -VCEO 20 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current - DC -IC 5 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 10 0.5 PC W Collector Power Dissipation2 2) Junction Tempera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... ST2SA684 , ST2SB1124U , ST2SB1132U , ST2SB1151T , ST2SB1188U , ST2SB1386U , ST2SB1561U , ST2SB596 , TIP127 , ST2SB772T , ST2SB772U , ST2SB9435U , ST2SC1383 , ST2SC1384 , ST2SC2073U , ST2SC4073U , ST2SC4375U .

 

 
Back to Top

 


 
.