Биполярный транзистор ST2SC4073U Даташит. Аналоги
Наименование производителя: ST2SC4073U
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
ST2SC4073U Datasheet (PDF)
st2sc4073u.pdf

ST 2SC4073U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor General purpose amplifier and high voltage application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 120 V Collector Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1 A Peak Collector Current (Single pulse, tp = 300 s) ICP 2 A0.5 Ptot W T
st2sc4379u.pdf

ST 2SC4379U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power amplification applications Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 50 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 2 ABase Current IB 0.4 A0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150
st2sc4378u.pdf

ST 2SC4378U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1 APeak Collector Current ICP 2 A0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150 Storage Temperature Range Tstg
st2sc4672u.pdf

ST 2SC4672U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Low Frequency Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 6 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet