Справочник транзисторов. ST2SD1664U

 

Биполярный транзистор ST2SD1664U Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SD1664U
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для ST2SD1664U

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SD1664U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  semtech
 st2sd1664u.pdf pdf_icon

ST2SD1664U

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 0.1. Size:391K  semtech
 st2sd1664u-p st2sd1664u-q st2sd1664u-r.pdf pdf_icon

ST2SD1664U

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 7.1. Size:350K  semtech
 st2sd1691t.pdf pdf_icon

ST2SD1664U

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value UnitParameter VCBO 60 VCollector to Base Voltage VCEO 60 VCollector to Emitter

 8.1. Size:551K  semtech
 st2sd1760u.pdf pdf_icon

ST2SD1664U

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 WCollector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... ST2SC2073U , ST2SC4073U , ST2SC4375U , ST2SC4378U , ST2SC4379U , ST2SC4541U , ST2SC4672U , ST2SD1163A , NJW0281G , ST2SD1691T , ST2SD1760U , ST2SD1766U , ST2SD2150U , ST2SD2391U , ST2SD526 , ST2SD874U , ST2SD882HT .

History: ECG380 | FTA719 | 2SD2136 | PH1090-175L | 2SD604 | 2T7055 | MJ6701

 

 
Back to Top

 


 
.