Биполярный транзистор STBD135T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STBD135T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
STBD135T Datasheet (PDF)
stbd135t stbd137t stbd139t.pdf
BD135T / BD137T / BD139T NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are designed as Audio Amplifier and Drivers Utilizing. ECB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD135T BD137T BD139TCollector Emitter Voltage VCEO 45 60 80 VCollector Emitter Voltage ( RBE = 1 K) VCER 45 60 100 VCollector Base Vo
stbd136t stbd138t stbd140t.pdf
BD136T / BD138T / BD140T PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR Medium power linear and switching applications ECB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD136T BD138T BD140T-VCBO Collector Base Voltage 45 60 100 V-VCEO Collector Emitter Voltage 45 60 80 V-VEBO Emitter Base Voltage 5 VCollector Current -IC 1.5 ABase Cur
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050