Биполярный транзистор STBD909 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STBD909
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
STBD909 Datasheet (PDF)
stbd909 stbd911.pdf
ST BD909 / ST BD911 NPN Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD909 ST BD911 Collector Base Voltage VCBO 80 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 80 100 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 15 ABase Currentt IB 5 AOTotal Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 90 W
stbd910 stbd912.pdf
ST BD910 / ST BD912 PNP Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD910 ST BD912 Collector Base Voltage -VCBO 80 100 VCollector Emitter Voltage -VCEO 80 100 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 15 ABase Currentt -IB 5 AOTotal Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 9
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
