STBD909. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STBD909

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для STBD909

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STBD909 даташит

 ..1. Size:570K  semtech
 stbd909 stbd911.pdf pdf_icon

STBD909

ST BD909 / ST BD911 NPN Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD909 ST BD911 Collector Base Voltage VCBO 80 100 V Collector Emitter Voltage VCEO 80 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 15 A Base Currentt IB 5 A O Total Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 90 W

 9.1. Size:569K  semtech
 stbd910 stbd912.pdf pdf_icon

STBD909

ST BD910 / ST BD912 PNP Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD910 ST BD912 Collector Base Voltage -VCBO 80 100 V Collector Emitter Voltage -VCEO 80 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 15 A Base Currentt -IB 5 A O Total Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 9

Другие транзисторы: ST2SD882U-P, ST8050, STBD135T, STBD136T, STBD137T, STBD138T, STBD139T, STBD140T, D882P, STBD910, STBD911, STBD912, STBDW42, STBDW47, STH1061, STTIP122, STTIP31C