L2SA1037AKRLT1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор L2SA1037AKRLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: L2SA1037AKRLT1G
   Маркировка: FR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для L2SA1037AKRLT1G

L2SA1037AKRLT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:142K lrc
l2sa1037akqlt1g l2sa1037akslt1g l2sa1037akrlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconFeaturesL2SA1037AKQLT1G Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-L2SA1037AKQLT1G Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATIONShippingDevice Pack

0.2. Size:142K lrc
l2sa1037akrlt1g.pdf

4.1. Size:143K lrc
l2sa1037akslt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconFeatures We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SA1037AKQLT1G Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L2SA1037AKQLT1G Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATIONShippingDevice Pac

4.2. Size:142K lrc
l2sa1037akqlt1g.pdf