2N6476 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N6476 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2N6476
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6476 даташит
2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n6106 2n6107 2n6108 2n6109 2n6110 2n6111 2n6288 2n6289 2n6290 2n6291 2n6292 2n6293 2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf
Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com
2n6475 2n6476.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6475 2N6476 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area APPLICATIONS General-purpose medium power for switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified out
Другие транзисторы: 2N647, 2N6470, 2N6471, 2N6472, 2N647-22, 2N6473, 2N6474, 2N6475, A1013, 2N6477, 2N6478, 2N6478A, 2N6479, 2N6480, 2N6481, 2N6482, 2N6486
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220





