L2SB772Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SB772Q

Маркировка: 72Q

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для L2SB772Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SB772Q даташит

 ..1. Size:131K  lrc
 l2sb772q.pdf pdf_icon

L2SB772Q

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB772Q L2SB772P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB772Q 72Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB772P 72P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas

Другие транзисторы: L2SA2029QM3T5G, L2SA2029RM3T5G, L2SA812QLT1G, L2SA812RLT1G, L2SA812SLT1G, L2SB1197KQLT1G, L2SB1197KRLT1G, L2SB772P, 2SA1837, L2SC1623QLT1G, L2SC1623RLT1G, L2SC1623SLT1G, L2SC1623SWT1G, L2SC2411KQLT1G, L2SC2411KRLT1G, L2SC2412KQLT1G, L2SC2412KQMT1G