L2SC2411KRLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SC2411KRLT1G  📄📄 

Маркировка: CR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L2SC2411KRLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC2411KRLT1G даташит

 ..1. Size:613K  lrc
 l2sc2411krlt1g.pdf pdf_icon

L2SC2411KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon L2SC2411KRLT1G FEATURES S-L2SC2411KRLT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 SOT 23 DEVICE MARK

 ..2. Size:538K  lrc
 l2sc2411krlt1g l2sc2411krlt3g.pdf pdf_icon

L2SC2411KRLT1G

L2SC2411KRLT1G S-L2SC2411KRLT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23 qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Mark

 5.1. Size:173K  lrc
 l2sc2411kqlt1g.pdf pdf_icon

L2SC2411KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Medium Power Transistor L2SC2411KQLT1G NPN silicon Series FEATURE S-L2SC2411KQLT1G Epitaxial planar type Series Complementary to L2SA1036K We declare that the material of product are Halogen Free and 3 compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements,AEC-q101

 7.1. Size:147K  lrc
 l2sc2412kqmt1g.pdf pdf_icon

L2SC2411KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. L2SC2412KQMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-L2SC2412KQMT1G ORDERING INFORMATION Series Device Marking Shipping L2SC2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SB1197KRLT1G, L2SB772P, L2SB772Q, L2SC1623QLT1G, L2SC1623RLT1G, L2SC1623SLT1G, L2SC1623SWT1G, L2SC2411KQLT1G, BD336, L2SC2412KQLT1G, L2SC2412KQMT1G, L2SC2412KRLT1G, L2SC2412KRMT1G, L2SC2412KSLT1G, L2SC2412KSMT1G, L2SC3356LT1G, L2SC3356WT1G