Биполярный транзистор L2SC2412KQMT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: L2SC2412KQMT1G
Маркировка: BQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC74
Аналоги (замена) для L2SC2412KQMT1G
L2SC2412KQMT1G Datasheet (PDF)
l2sc2412kqmt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SC2412KQMT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteSeriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC2412KQMT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2
l2sc2412kqlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SeriesS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2
l2sc2412kqlt1g l2sc2412kqlt3g l2sc2412krlt1g l2sc2412krlt3g l2sc2412kslt1g l2sc2412kslt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2412
l2sc2412kqlt1g l2sc2412krlt1g l2sc2412kslt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2412
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050